英國國家物理實(shí)驗(yàn)室（NPL）和薩里大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種單步程序，使單晶硅承受創(chuàng)紀(jì)錄的更大應(yīng)變，這一進(jìn)展或?qū)韫庾訉W(xué)發(fā)展起到重要作用。論文發(fā)表在《Physical Review Materials》雜志上。

硅光子學(xué)是物聯(lián)網(wǎng)背后技術(shù)的基礎(chǔ)。該團(tuán)隊(duì)利用離子注入對硅膜施加應(yīng)變，其方式類似于收緊鼓皮，應(yīng)變通過改變其電子結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)硅的發(fā)光能力。然后，使用稱為電子背散射衍射（EBSD）的掃描電子顯微鏡技術(shù)來測量應(yīng)變膜的形狀和結(jié)構(gòu)，拍攝電子如何從膜上反彈（“反向散射”）的照片，并檢查高應(yīng)變是否均勻地施加在膜上且不會(huì)在材料中產(chǎn)生意外的缺陷。

注：本文摘自國外相關(guān)研究報(bào)道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場，僅供參考。
免責(zé)聲明：本網(wǎng)轉(zhuǎn)載自其它媒體的文章，目的在于弘揚(yáng)科技創(chuàng)新精神，傳遞更多科技創(chuàng)新信息，宣傳國家科技政策，展示國家科技形象，增強(qiáng)國家科技軟實(shí)力，參與國際科技輿論競爭，提高國際科技話語權(quán)，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé)，在此我們謹(jǐn)向原作者和原媒體致以崇高敬意。如果您認(rèn)為本網(wǎng)文章及圖片侵犯了您的版權(quán)，請與我們聯(lián)系，我們將第一時(shí)間刪除。