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              山東好成果 | 青島思銳智能成功研發(fā)國內(nèi)首臺高能離子注入機

                 2024-01-31 規(guī)劃處、創(chuàng)發(fā)院區(qū)域中心
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              核心提示:集成電路產(chǎn)業(yè)是半導體產(chǎn)業(yè)的核心,也是大國博弈的戰(zhàn)略制高點。集成電路制造設備則是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎,其中,離子注入機與

              集成電路產(chǎn)業(yè)是半導體產(chǎn)業(yè)的核心,也是大國博弈的戰(zhàn)略制高點。集成電路制造設備則是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎,其中,離子注入機與光刻機、刻蝕機和鍍膜設備并稱為芯片制造的四大核心工藝裝備。

              2023年9月15日,青島四方思銳智能技術有限公司(以下簡稱“思銳智能”)成功推出的國內(nèi)首臺能量達到8MeV(兆電子伏特)的高能離子注入機交付到國內(nèi)頭部企業(yè),而這也意味著國產(chǎn)集成電路核心制造裝備實現(xiàn)了重大突破,不僅填補了國內(nèi)空白,也打破了西方國家的技術封鎖,開啟了國產(chǎn)高能離子注入機的自主可控的新征程。

              思銳智能高能離子注入機

              高能離子注入機實現(xiàn)國產(chǎn)化替代

              如今,我們已經(jīng)很難想象,生活中如果沒有智能手機、電腦等電子設備,會變成什么樣子。這些電子設備的核心部件是芯片,也就是集成電路。而幾乎所有集成電路的生產(chǎn),都要用到離子注入工藝進行摻雜。

              占地48平方米,重達38噸,從外觀上看,思銳智能高能離子注入機就像是一臺工業(yè)車間里普通的大型生產(chǎn)裝備。這臺看似普通的機器,正是集成電路的核心制造裝備。

              “在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素來改變材料的電性能,離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造關鍵設備,其技術難度僅次于光刻機?!彼间J智能董事長聶翔解釋。

              調(diào)研數(shù)據(jù)顯示,2022年全球半導體離子注入設備的市場規(guī)模為206億元,預計2023年增至211億元;而2022年中國大陸的離子注入設備市場規(guī)模為66億元,預計2023年有望增至74億元,增速高于全球平均值。

              在如此巨大的市場規(guī)模之下,離子注入機的國產(chǎn)化率卻不超過5%,離子注入機中難度最高的機型高能離子注入機的國產(chǎn)化進程幾乎為空白。

              在國家高層次人才特殊支持計劃、山東省重大科技創(chuàng)新工程項目的支持下,思銳智能的研發(fā)團隊成功突破射頻加速技術,創(chuàng)新設計束流加速系統(tǒng)及主要控制部件,實現(xiàn)高離子束的能量注入,成功推出國內(nèi)首臺能量達到8MeV的高能離子注入機,實現(xiàn)了高能離子注入機的國產(chǎn)化替代,整體技術達到國內(nèi)領先、國際先進水平。

              不同型號離子注入機應用范圍

              微米級的深度注入摻雜

              離子注入是半導體器件和集成電路生產(chǎn)的關鍵工藝之一,其提供的高精度和高均勻性可以大幅度提高集成電路的成品率。離子注入機通常分為高能離子注入機(HEI)、低能大束流離子注入機(HCI)和中束流離子注入機(MCI)三種類型。其中,高能離子注入機是技術難度最大,經(jīng)濟附加值最高的機型。

              經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,我國已經(jīng)初步實現(xiàn)了低能大束流和中束流離子注入機的研制,但是技術難度最高的高能離子注入機被美國應用材料、美國亞舍立、日本住友等企業(yè)壟斷。此前,國內(nèi)集成電路用高能離子注入機處于研發(fā)階段,且最高能量僅達到4.5MeV,無法滿足超高靈敏CIS圖像傳感器等高性能器件的需求。

              CIS芯片,即圖像傳感器芯片,是相機、手機、平板電腦等電子產(chǎn)品中不可或缺的核心組件?!俺哽`敏CIS圖像傳感器等高性能器件,在摻雜工藝上必須具備能量達到8MeV的高能離子注入。”聶翔說。

              能量達到8MeV意味著什么?

              高能離子注入機可以將離子能量提升到百萬電子伏特級,需要十數(shù)個射頻加速系統(tǒng)協(xié)調(diào)工作,涉及幾十個聯(lián)調(diào)參數(shù),最終實現(xiàn)微米級的深度注入摻雜,從而應用于功率器件、IGBT、CMOS圖像傳感器、5G射頻、邏輯芯片等集成電路主要器件的制備。

              “十四五”末銷售產(chǎn)值將超10億元

              實現(xiàn)技術的突破并非易事。思銳智能董事長聶翔曾在第十一屆(2023年)半導體設備材料與核心部件展示會(CSEAC)上介紹,為了應對離子注入機國產(chǎn)化的迫切需求,自2021年開始,該公司充分發(fā)揮整合海外技術資源優(yōu)勢,組建了一支海外技術研發(fā)專家與本土技術團隊相結合的核心技術團隊,開啟離子注入設備的研發(fā)攻關。

              據(jù)悉,這支團隊中,碩博占比46%。核心團隊由長期從事集成電路裝備研發(fā)的中科院、清華大學、北京大學專家以及海外專家領銜。同時,思銳智能與歐洲IMEC、CEA/LETI、VTT/Micronova,浙江大學現(xiàn)代光學國家重點實驗室等多家世界頂尖公司及實驗室保持長期戰(zhàn)略合作關系,全面融入全球主流研發(fā)體系。

              目前,思銳智能產(chǎn)品已在芯片制造頭部企業(yè)推廣應用,預計“十四五”末,思銳智能將具備年產(chǎn)50臺的規(guī)?;a(chǎn)能力,產(chǎn)值超10億元。該成果的成功研制也推動了我國集成電路制造設備的快速發(fā)展,有力保障了半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

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