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類型
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描述
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選擇
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類別
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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CoolMOS™ P7
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包裝
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管件
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零件狀態(tài)
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在售
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）
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600 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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37A（Tc）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
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80 毫歐 @ 11.8A，10V
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不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 590µA
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不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
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51 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
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2180 pF @ 400 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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129W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安裝類型
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通孔
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供應(yīng)商器件封裝
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PG-TO247-4
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封裝/外殼
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TO-247-4
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IPZA60R080P7 TO247-4 MOSFET管